HBM 负责人 Kim Gwi-wook 近日在官方公告中声称当前业界 HBM 技术已经到了新的水平,行业需求促使 SK 海力士将加速开发过程,最早在 2026 年推出他们的 HBM4E 内存,相关内存带宽将是 HBM4 的 1.4 倍。

除了 HBM4E 外,据 IT 之家此前报道,有消息称 SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品,而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。

SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存

HBM4 / HBM4E 的开发“加速过程”无疑显示了 AI 领域巨头对高性能内存的强劲需求,日益强大的 AI 处理器需要更高内存带宽的辅助。

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